DeGebogen plaat gefuseerde silica bootis een hoogprecisie waferdrager ontworpen voor halfgeleidertoepassingen waarbij hoogtemperatuurbatchverwerking nodig is, zoals diffusie, oxidatie en CVD-depositie. Gemaakt van hoogzuiver gefuseerd silica, biedt deze boot uitzonderlijke thermische stabiliteit, minimale thermische uitzetting en uitstekende weerstand tegen zowel corrosie als thermische schokken.

De gebogen plaatstructuur biedt stabiele waferondersteuning en verbetert de uniforme gasstroom en warmteoverdracht binnen de ovenbuis. Het gladde, schone oppervlak minimaliseert deeltjesgeneratie, terwijl de hoge optische transparantie van het materiaal visuele inspectie ondersteunt wanneer nodig. Ontworpen voor consistente waferuitlijning en een laag verontreinigingsrisico, voldoet de gesmolten silica gebogen plaatboot aan de strenge eisen van geavanceerde halfgeleiderproductie, onderzoekslaboratoria en pilotlijnen.

Waarom heet hij Gebogen Plaat Kwartsboot?

De term "Gebogen Plaat Kwartsboot" komt zowel van het materiaal als van de ontwerpvorm:

Kwarts:De boot is gemaakt van hoogzuiver kwarts (gefuseerd silica), een materiaal dat in de halfgeleiderproductie gewaardeerd wordt vanwege zijn uitstekende thermische stabiliteit, chemische bestendigheid en lage onzuiverheidsgehalte.

Gebogen plaat:In tegenstelling tot platte of buisvormige boten heeft dit ontwerp een plaat die gebogen of gebogen is in een boogvorm. Deze gebogen (gebogen) plaatstructuur helpt de gasstroomverdeling en thermische uniformiteit rond de wafers tijdens hoogtemperatuurverwerking te verbeteren. De kromming zorgt voor een betere blootstelling van wafers aan procesgassen en een gelijkmatigere warmteverdeling.

Boot:In de verwerking van halfgeleiders is "boot" de industriële term voor een drager of fixture die wafers stevig vasthoudt tijdens de verwerking van een oven of diffusiebuis.

Dus, "Curved Plate Quartz Boat" betekent letterlijk een op kwarts gebaseerde waferdrager met een gebogen (gebogen) plaatontwerp dat geoptimaliseerd is voor uniforme waferverwerking in hoogtemperatuur-halfgeleiderfabricage.